相比二極管，使用MOS管作為電池反向保護(hù)的電路設(shè)計(jì)并不常見(jiàn)。然而常用的二極管反向保護(hù)也存在一些缺點(diǎn)：壓降很高。這在低壓電流中容易產(chǎn)生許多問(wèn)題，相反，MOS管反而解決了這個(gè)問(wèn)題。
隨著新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展，充電安全及技術(shù)越發(fā)重要， 分立式高壓元件在車(chē)載充電器（OBC）應(yīng)用領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。由于其成本優(yōu)勢(shì)，越來(lái)越多的基于模塊的解決方案正被立式高壓元件所取代。這不僅提高了產(chǎn)品...
實(shí)際應(yīng)用中，開(kāi)關(guān)電源或者控制電路設(shè)計(jì)中，幾乎使用的是使用增強(qiáng)型的N-MOSFET來(lái)作為開(kāi)關(guān)，這是為什么呢？
輸入5V，“輸入5V，那么分壓點(diǎn)Vb電壓是3.4V”的前提是兩個(gè)電阻分壓，但沒(méi)有晶體管的情況下。一旦接入晶體管，be結(jié)必會(huì)導(dǎo)通，Vb的電壓就被箝位在0.65V上，就不再是兩個(gè)電阻分壓了。應(yīng)該理解成“4...
目前第三代半導(dǎo)體主要是：碳化硅SiC、氮化鎵GaN、氧化鋅ZnO這三種。 而碳化硅是近幾年關(guān)注度較高的半導(dǎo)體器件，它主要應(yīng)用在工業(yè)，光伏，汽車(chē)領(lǐng)域。特別是在電車(chē)應(yīng)用方面，碳化硅可是賺了不少“大錢(qián)...
傳統(tǒng)的防反保護(hù)電路，一般采用的都是PMOS管。 將PMOS的G極接電阻到地（GND），當(dāng)輸入端連接正向電壓時(shí)，電流流過(guò)PMOS的體二極管到負(fù)載端。 如果正向電壓超過(guò) PMOS的門(mén)限閾值，主...
