電源的正負(fù)極一旦接反，就會(huì)導(dǎo)致很多電子元器件燒毀，其中主要的緣由是因?yàn)殡娏鬟^(guò)大導(dǎo)致器件被擊穿，因此實(shí)際應(yīng)用中必須采取防止接反的措施。
晶體管如同一個(gè)電子開(kāi)關(guān)，能夠打開(kāi)或者關(guān)閉電流
MOS管的工作原理與上期講的BJT類似，不過(guò)還是有區(qū)別的。 BJT晶體管的電流一般是從基極流向發(fā)射極，它決定了從集電極到發(fā)射極能夠流多少電流。 然而對(duì)于MOS管，有多少電流從漏極流向另一個(gè)源極...
NMOS和PMOS電路符號(hào)最大的差異就在于它的襯底，NMOS的箭頭是指向柵極，而PMOS是背向柵極的。 這個(gè)箭頭方向和MOS管內(nèi)部襯底和溝道反型層之間PN結(jié)的方向有關(guān)。
MOS管作為一種開(kāi)關(guān)，可以放在負(fù)載前也可以放在負(fù)載后。 這是由兩種開(kāi)關(guān)管的開(kāi)啟條件不同所導(dǎo)致的。 一般會(huì)有兩種情況，第一種是高邊驅(qū)動(dòng)，開(kāi)關(guān)MOS與電源直接相連，第二種就是低邊驅(qū)動(dòng)，開(kāi)關(guān)MOS與地相...
功率MOS管具有優(yōu)異的熱穩(wěn)定性，不會(huì)發(fā)生熱失控，因此 并聯(lián)多個(gè)MOSFET是一種很常見(jiàn)的使用方法，它可以減少傳導(dǎo)損耗和分散功耗，以便限制最大結(jié)溫。
