正常情況下：當(dāng)MOS管在開關(guān)狀態(tài)時，開關(guān)波形應(yīng)該會和控制信號電壓波形一樣標(biāo)準(zhǔn)。 但是實際上柵極串聯(lián)較大的電阻以后，柵極上的充放電電流很小，對電容的充電速度變慢，MOS管出現(xiàn)了未完全導(dǎo)通，并且下一個關(guān)...
在一些小功率MOS管電路，驅(qū)動端還是MOS管端其實都可以。但是對于大功率的MOS管開關(guān)電路，由于關(guān)斷時MOS管容易受到串?dāng)_，可能會產(chǎn)生誤操作，因此一般放在MOS管端。
一個MOS管最大電流是100a，電池電壓96V，開通后剛進入米勒平臺時，MOS管發(fā)熱功率是P=V*I，由于電流達(dá)到最大，所有功率都在MOS管上：P=96*100=9600w。
加入軟啟動可平緩電源電壓上升沿，限制啟動時的浪涌電流。通過電容充電時間實現(xiàn)MOS管導(dǎo)通，實現(xiàn)軟開啟功能。大電容和其他負(fù)載都可能引起浪涌電流
單片機的IO口帶有一定的負(fù)載能力，但電流很小，驅(qū)動能力有限，一般在10-20毫安以內(nèi)，因此一般不采用單片機直接驅(qū)動負(fù)載的方式
本文講解了LC串聯(lián)諧振現(xiàn)象及如何避免諧振引起噪聲放大的問題。當(dāng)增益大于1時，噪聲被放大，諧振頻率處的增益非常高。使用LC濾波器時，負(fù)載阻抗、噪聲源內(nèi)阻、電感和電容值等因素會影響濾波效果。通過增大電容或...
